工業(yè)上，在節接近常壓下，實(shí)質(zhì)上有兩種從氯化氫中去除雜質(zhì)氣體的方法。一種方法是用水或稀鹽酸吸收氯化氫。其廢氣由于不溶于液相而從設備中排出。得到的濃鹽酸于108℃共沸蒸餾而放出弄氯化氫氣體。第二種方法也是建立在吸收氯化氫的基礎上，而解吸收則用硫酸或鹽酸溶液如CaCl2。兩種方法都能使氯化氫中氫的含量低于0.1%（體積）。

       氯化氫通常在精制設備中純化，經(jīng)壓縮和冷卻變?yōu)橐簯B(tài)氯化氫，將其貯存于壓力容器內。工業(yè)上常用濃硫酸洗滌以除去氯化氫中夾帶的水分，在保持過(guò)程最佳工況的理想條件下，水分可降至0.01%（體積）以下。用固體CaCl2進(jìn)行精制時(shí)，水分可降至0.01%（體積）以下。工業(yè)上較少采用含硅吸附劑（如耐酸沸石）干燥的方法。用沸石可使水分降至0.01%（體積）以下。

       電子工業(yè)中生產(chǎn)半導體元件時(shí)，使用雜質(zhì)含量很低的氯化氫。特別有害的雜質(zhì)是水，它在氯化氫中的含量使用要求極其極限值為0.0005%至0.1%（體積）。其次為N2和H2等有害氣體，對半導體工業(yè)按使用要求的不同，其上限為0.01%至0.1%（體積）。

       工業(yè)上，精制填料的再生意味著(zhù)與精制本身相當的或更為困難的操作。即使不考慮再生時(shí)強腐蝕物質(zhì)的存在，由于再生操作導致精制系統在結構上和材料選擇上都是很困難的，這一事實(shí)也必然在過(guò)程的經(jīng)濟上反映出來(lái)。上述精制過(guò)程的另一缺點(diǎn)是必需精確地遵守預定的操作條件。一旦短時(shí)間地提高流量，就會(huì )降低精制效果。而短時(shí)間地通過(guò)濕氯化氫則會(huì )引起設備局部污染，并且設備內壁就會(huì )成為鹽酸蒸汽長(cháng)期的二次污染源。類(lèi)似的情況還可能由于精制填料的落入，造成精制設備的污染，從而導致對產(chǎn)品的污染。目前在工業(yè)規模上尚未廣泛實(shí)現的另一可能方法是低溫下使水冷凝的方法。其主要困難是氯化氫中的水蒸氣在冷卻器的自由空間呢，由于水蒸氣的瞬間過(guò)飽和而生成鹽酸氣溶膠。而氣溶膠被氯化氫氣流帶出冷卻器，并組件蒸發(fā)。一般形成的冷卻系統對氣體流量、它的組成、冷卻介質(zhì)的流量及其溫度的變化都是非常敏感的。與其它干燥系統比較，這里的濕氯化氫更易于造成設備的局部污染。

       在精制設備中純化的缺點(diǎn)是需要對精制裝置的填料進(jìn)行周期性再生，以及要處理生成的腐蝕性殘渣。

       所有精制操作都是從欲純化的氣體中除去某些組分。與此同時(shí)，特別是在高溫及腐蝕介質(zhì)作用下，也會(huì )使純凈的氣體中來(lái)自設備材質(zhì)或輔助性材料的組分富集起來(lái)，這些物質(zhì)造成的二次污染具有顯著(zhù)的影響。